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SiA461DJ
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
20
16
12
V GS = 5 V thru 2 V
V GS = 1.5 V
10
8
6
8
4
4
2
T C = 25 ° C
T C = 125 ° C
0
V GS = 1 V
0
T C = - 55 ° C
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0.0
0.3 0.6 0.9 1.2
1.5
0.08
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Output Characteristics
2500
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
Transfer Characteristics
2000
0.06
1500
C iss
0.04
V GS = 1.8 V
0.02
V GS = 2.5 V
1000
0.00
V GS = 4.5 V
500
0
C rss
C oss
0
4
8 12
16
20
0
4
8
12
16
20
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage
8
I D = 5.2 A
6
1.5
1.4
1.3
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
V GS = 4.5 V ; 2.5 V ; I D = 5.2 A
V DS = 10 V
1.2
V DS = 16 V
4
2
0
1.1
1.0
0.9
0. 8
0.7
V GS = 1. 8 V ; I D = 2 A
0
5
10
15
20
25
30
- 50
- 25
0 25 50 75 100
125
150
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
Document Number: 63838
S12-0539-Rev. A, 12-Mar-12
For more information please contact: pmostechsupport@vishay.com
www.vishay.com
3
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